07:17
ذكرت التقارير أن سامسونج ستطلق V-NAND بـ 400+ طبقة في الجيل القادم في عام 2026
أخبار Gold Ten في 29 أكتوبر: ستكون عدد طبقات تكديس V-NAND الجيل القادم الذي ستطلقه Samsung Electronics في عام 2026 أكثر من 400، ومن المتوقع أن تستخدم ذاكرة الوصول العشوائي DRAM بتقنية 0a nm والتي ستصدر في عام 2027 هيكل VCT. وقد ذكرت التقارير أن V-NAND الجيل العاشر (الجيل القادم) الذي ستطلقه Samsung سيحمل اسم BV (Bonding Vertical).

