Gate.io: Pada tanggal 29 Oktober, Samsung Electronics akan meluncurkan generasi berikutnya V-NAND dengan lebih dari 400 lapisan tumpukan, yang diperkirakan akan menggunakan struktur VCT untuk DRAM 0a nm yang akan diluncurkan pada tahun 2027. Laporan mengatakan bahwa V-NAND generasi ke-10 akan diberi nama BV (Bonding Vertical) NAND karena produk generasi ini akan menyesuaikan struktur NAND dengan membuat unit penyimpanan dan sirkuit periferal secara terpisah kemudian mengikatnya secara vertikal, menggantikan struktur CoP saat ini.
Lihat Asli
Halaman ini mungkin berisi konten pihak ketiga, yang disediakan untuk tujuan informasi saja (bukan pernyataan/jaminan) dan tidak boleh dianggap sebagai dukungan terhadap pandangannya oleh Gate, atau sebagai nasihat keuangan atau profesional. Lihat Penafian untuk detailnya.
Rumor has it that Samsung's next-generation 400+ layer V-NAND will be launched in 2026
Gate.io: Pada tanggal 29 Oktober, Samsung Electronics akan meluncurkan generasi berikutnya V-NAND dengan lebih dari 400 lapisan tumpukan, yang diperkirakan akan menggunakan struktur VCT untuk DRAM 0a nm yang akan diluncurkan pada tahun 2027. Laporan mengatakan bahwa V-NAND generasi ke-10 akan diberi nama BV (Bonding Vertical) NAND karena produk generasi ini akan menyesuaikan struktur NAND dengan membuat unit penyimpanan dan sirkuit periferal secara terpisah kemudian mengikatnya secara vertikal, menggantikan struktur CoP saat ini.