三安半導体チップの第二工場M6B設備が移転され、12月には8インチのSiCチップの生産が予定されています。

金十データ7月25日、7月24日、三安半導体は、チップ工場のM6B装置の入場式を開催し、三安SiCプロジェクトの第2段階の通路がまもなく開通することを示しました。三安SiCプロジェクトの総投資額は160億人民元に達し、プロジェクトが生産を開始した後、年間36万枚の6インチSiCウエハーおよび48万枚の8インチSiCウエハーの製造能力を持つことになります。今年12月までにM6Bはラインライトアップを実現し、8インチSiCチップが正式に生産される見込みです。