三星再度迴應英偉達HBM3E芯片報道:測試正在“按計劃”進行

金十數據8月12日訊,三星對有關英偉達測試其高帶寬存儲芯片(HBM)的媒體報道再度做出了迴應。 三星的一名發言人通過電子郵件表示:“三星電子正在通過與各客戶的密切合作優化我們的產品,並按計劃進行測試。” 上週有報道稱,英偉達已批准三星的8層HBM3E芯片用於其人工智能處理器。但隨後三星迴應稱,這和事實相距甚遠,“我們不能證實與我們客戶相關的傳聞,但這個報道不是真的”。

查看原文
此頁面可能包含第三方內容,僅供參考(非陳述或保證),不應被視為 Gate 認可其觀點表述,也不得被視為財務或專業建議。詳見聲明
  • 讚賞
  • 留言
  • 轉發
  • 分享
留言
0/400
暫無留言
交易,隨時隨地
qrCode
掃碼下載 Gate App
社群列表
繁體中文
  • 简体中文
  • English
  • Tiếng Việt
  • 繁體中文
  • Español
  • Русский
  • Français (Afrique)
  • Português (Portugal)
  • Bahasa Indonesia
  • 日本語
  • بالعربية
  • Українська
  • Português (Brasil)