報道によると、三星は2026年に次世代の400+層V-NANDをリリースするとのことです。

金十データ10月29日情報、三星電子は2026年に400以上の次世代V-NANDスタックレイヤーを導入し、2027年には0a nm DRAMにVCT構造を採用する予定です。報道によると、三星の10世代（次世代）V-NANDはBV（Bonding Vertical）NANDと呼ばれ、現行のCoP周辺ユニットからストレージユニットと周辺回路を分離して垂直に接合することで、NAND構造が調整されます。