A Samsung Electronics lançará a próxima geração de V-NAND com mais de 400 camadas empilhadas em 2026 e espera-se que a DRAM de 0a nm, que será lançada em 2027, use a estrutura VCT. De acordo com relatos, a próxima geração de V-NAND da Samsung, a 10ª geração, será chamada de BV (Bonding Vertical) NAND, porque ajustará a estrutura NAND da CoP periférica única atual para produzir unidades de armazenamento e circuitos periféricos separadamente e depois conectá-los verticalmente.
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As notícias afirmam que a próxima geração de V-NAND de 400 camadas da Samsung será lançada em 2026
A Samsung Electronics lançará a próxima geração de V-NAND com mais de 400 camadas empilhadas em 2026 e espera-se que a DRAM de 0a nm, que será lançada em 2027, use a estrutura VCT. De acordo com relatos, a próxima geração de V-NAND da Samsung, a 10ª geração, será chamada de BV (Bonding Vertical) NAND, porque ajustará a estrutura NAND da CoP periférica única atual para produzir unidades de armazenamento e circuitos periféricos separadamente e depois conectá-los verticalmente.