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Les nouvelles indiquent que le prochain V-NAND 400+ couches de Samsung sera lancé en 2026
Selon les informations de Data 10, Samsung Electronics lancera une nouvelle génération de V-NAND avec plus de 400 couches empilées d’ici 2026, et prévoit d’utiliser une structure VCT pour la DRAM de 0a nm qui sera lancée en 2027. Selon les rapports, le V-NAND de 10e génération (c’est-à-dire la prochaine génération) de Samsung sera appelé BV (Bonding Vertical) NAND. Cela est dû au fait que cette génération de produits ajustera la structure NAND en passant des cellules périphériques CoP actuelles à une liaison verticale après la fabrication séparée des unités de stockage et des circuits périphériques.